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MS26P20HGC0
Vps=-200V，lD=-26A，RDs(on)<170mΩ场效应管
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- 描述
- 特性：VDS = -200V, ID = -26A。 RDS(on) < 170mΩ @ VGS = -10V。 完全表征的雪崩电压和电流。 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性。 良好散热的出色封装。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS26P20HGC0
- 商品编号
- C19724682
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品特性
- VDS = -200 V,ID = -26 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(导通) < 170 mΩ
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
- TO-247
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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