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MS26P20HGC0

Vps=-200V,lD=-26A,RDs(on)<170mΩ场效应管

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描述
特性:VDS = -200V, ID = -26A。 RDS(on) < 170mΩ @ VGS = -10V。 完全表征的雪崩电压和电流。 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性。 良好散热的出色封装。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
商品型号
MS26P20HGC0
商品编号
C19724682
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.65克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)2.485nF
反向传输电容(Crss)104pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)114pF

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