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MS30N95HGC0

N沟道 电流:30A

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描述
高压MOSFET
商品型号
MS30N95HGC0
商品编号
C19724672
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))330mΩ@10V
耗散功率(Pd)290W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)96nC@10V
输入电容(Ciss)4.69nF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)421pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 950 V,漏极电流(ID) = 30 A
  • 导通电阻(RDS(on)) < 0.25 Ω
  • 经过雪崩测试并额定电流
  • 快速本征整流器
  • TO-247封装

应用领域

  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

数据手册PDF