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MS5N170HGB2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS5N170HGB2

N沟道 耐压:1.7kV 电流:5A

描述
超高压MOSFET
商品型号
MS5N170HGB2
商品编号
C19724670
商品封装
TO-3PF​
包装方式
管装
商品毛重
7.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))8Ω@10V
耗散功率(Pd)56W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)49.8nC@10V
输入电容(Ciss)790pF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)101pF

数据手册PDF