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GN1065T4ZG

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描述
特性:第四代技术。 JEDEC认证的氮化镓技术。 动态RDS(on)eff生产测试。 稳健设计,特点包括: -宽栅极安全裕度。 -瞬态过电压能力。 极低的QRR。应用:消费类。 电源适配器
商品型号
GN1065T4ZG
商品编号
C19633388
商品封装
DFN-3L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.19875克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型1个N沟道
技术路线-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)3.6A
耗散功率(Pd)13.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)9nC
输入电容(Ciss)760pF
反向传输电容(Crss)1.5pF
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))480mΩ@8V

数据手册PDF