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GM65R380H实物图
  • GM65R380H商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GM65R380H

super-Junction-mosfet

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商品型号
GM65R380H
商品编号
C19633404
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)33nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)886pF
反向传输电容(Crss)2.8pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)62pF

商品概述

这款功率MOSFET采用先进的沟槽(TRENCH)技术制造。 这项先进技术经过特别设计,可将传导损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。

商品特性

  • VDS = 30 V,ID = 100 A
  • RDS(ON) 典型值 = 3.2 mΩ(VGS = 10 V 时)
  • RDS(ON) 典型值 = 5.3 mΩ(VGS = 4.5 V 时)
  • 极低的导通电阻 RDS(ON)
  • 低 Crss
  • 快速开关
  • 100% 雪崩测试
  • 改善的 dv/dt 能力

应用领域

  • PWM 应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF