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GM60R026SBF

super-Junction-mosfet

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描述
采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业对UPS、AC-DC电源转换、ATX电源和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。
商品型号
GM60R026SBF
商品编号
C19633427
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.216667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)195nC@10V
输入电容(Ciss)9.14nF
反向传输电容(Crss)2.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)884pF

商品概述

AGM30P35S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 大电流和高电压处理能力
  • 强大的浪涌电流防护能力
  • 高压器件新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 符合ROHS标准

应用领域

  • LCD/LED/PDP电视
  • 开关电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • ATX电源
  • 工业电源应用

数据手册PDF