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GN3065T5ZG

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描述
特性:Gen IV技术。 JEDEC认证的GaN技术。 动态RDS(on)eff生产测试。 稳健设计,特点为: -宽栅极安全裕度。 -瞬态过电压能力。 极低QRR。应用:消费领域。 电源适配器
商品型号
GN3065T5ZG
商品编号
C19633396
商品封装
DFN-3L(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型1个N沟道
技术路线-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)13A
耗散功率(Pd)52W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)8nC
输入电容(Ciss)598pF
反向传输电容(Crss)1pF
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V

数据手册PDF