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GN2065TLG实物图
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GN2065TLG

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描述
特性:易于使用,与标准栅极驱动器兼容。 低Qrr,无需续流二极管。 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)。 低开关损耗。 符合RoHS标准且无卤。应用:开关模式电源。 功率因数校正
商品型号
GN2065TLG
商品编号
C19633393
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型-
技术路线-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)6.5A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)9.6nC
输入电容(Ciss)760pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))240mΩ@8V

数据手册PDF