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SL60N02D
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- MOS
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL60N02D
- 商品编号
- C19632490
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46576克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 269pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
Greenchip采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供出色的RDS(ON)，且栅极电荷较低。这款超结MOSFET符合行业对于UPS、AC-DC电源转换、ATX电源和工业电源应用中AC-DC开关电源的要求。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 60 A
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON)典型值 = 5 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON)典型值 = 7.1 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理