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SL100N03D
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- MOS
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL100N03D
- 商品编号
- C19632491
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 358pF |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用先进的 SGT 技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 100 A
- RDS(ON) 典型值 = 3.2 mΩ(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) 典型值 = 5.3 mΩ(VGS = 4.5 V 时)
- 极低的导通电阻 RDS(ON)
- 低 Crss
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理
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