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SL120N03D
SL120N03D
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- 描述
- MOS
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL120N03D
- 商品编号
- C19632492
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽(TRENCH)技术制造。 这项先进技术经过特别设计,可将传导损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 120 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,典型导通电阻(RDS(ON)) = 2.6 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,典型导通电阻(RDS(ON)) = 3.6 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容(Crss)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的电压变化率(dv/dt)能力
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理