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TK7A65D-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TK7A65D-VB
- 商品编号
- C19632179
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 820mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（输入电容Ciss）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（超低栅极电荷Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域