UPA1764G-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双N+P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UPA1764G-VB
- 商品编号
- C19632182
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门-服务器-直流-直流转换器
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