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UT108N03L-TA3-T-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有良好的性能稳定性和可靠性，采用Trench工艺制造，适用于电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
UT108N03L-TA3-T-VB
商品编号
C19632184
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@4.5V,27A
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)257nC@10V
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)370pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)725pF

数据手册PDF

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