我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
UPA2794AGR-VB实物图
  • UPA2794AGR-VB商品缩略图
  • UPA2794AGR-VB商品缩略图
  • UPA2794AGR-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

UPA2794AGR-VB

1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
UPA2794AGR-VB
商品编号
C19632183
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1058克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.3A；4.9A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V；55mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA；1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@10V；8nC@10V
输入电容(Ciss)665pF；650pF
反向传输电容(Crss)40pF；60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)75pF；95pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 8.5折

    购买数量

    (4000个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个4000个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交1单