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UD0018A-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:45A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
UD0018A-VB
商品编号
C19632181
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.355克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))18.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)136.4W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)2.4nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)230pF

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