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FIR15N10G-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FIR15N10G-VB
- 商品编号
- C19626819
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.716克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 极低的栅漏电荷（Qgd）可降低穿越平台电压（Vplateau）时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理