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FQP2N60C-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率MOSFET，具有高性能和可靠性。采用平面工艺（Plannar），适用于各种功率电子应用，提供可靠的电气特性和稳定的性能。TO220；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQP2N60C-VB商品编号
C19626822商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.784克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.12Ω@10V |
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