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HAT1128RJ-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:13.5A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
HAT1128RJ-VB商品编号
C19626825商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V |
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