IRF3709SPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型场效应管,采用Trench工艺,适用于中高功率和中电流的应用场景。TO263;N—Channel沟道,30V;98A;RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF3709SPBF-VB
- 商品编号
- C19626833
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 257nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
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