温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB019N06L3G-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:270A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB019N06L3G-VB
- 商品编号
- C19626830
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.2nF |
相似推荐
其他推荐
- IPD088N06N3 G-VB
- IRF1018ESTRLPBF-VB
- IRF3709SPBF-VB
- IRF3710ZPBF-VB
- IRF3711PBF-VB
- IRF654A-VB
- IRF7321TRPBF-VB
- IRF820ASTRL-VB
- IRFR3711TRPBF-VB
- IRFR9110PBF-VB
- IRFU9014NPBF-VB
- IRL1004SPBF-VB
- IRLB4030PBF-VB
- IXFH140N10P-VB
- IXTY08N50D2-VB
- JCS8N65FB-O-F-N-B-VB
- MGSF1N02ELT1G-VB
- MTD6N20ET4G-VB
- ISL9N307AD3ST-VB
- NP15P04SLG-E1-AY-VB
- NTE4151PT1G-VB