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BUK762R4-60E-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:270A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
BUK762R4-60E-VB商品编号
C19626811商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
3.455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V |
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