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CSD18532KCS-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CSD18532KCS-VB商品编号
C19626754商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V |
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