温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
JCS10N65FT-R-F-N-B-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
JCS10N65FT-R-F-N-B-VB商品编号
C19626756商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 830mΩ@10V |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥3.99
10+￥3.9
50+￥3.84￥192
100+￥3.78￥189
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
50
购买数量(50个/管，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个50个/管
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
