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UD4803-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UD4803-VB
- 商品编号
- C19626762
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V；420nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.799nF；2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF；220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF；320pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域