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IRF7484QTRPBF-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:10A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7484QTRPBF-VB
- 商品编号
- C19626763
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关-笔记本电脑-台式电脑-游戏机