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ME2347-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ME2347-VB商品编号
C19626758商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V |
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