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MTN7451Q8-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOS场效应管，采用Trench技术，适用于小型电路板的设计和布局。SOP8；N—Channel沟道,150V；5.4A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTN7451Q8-VB
- 商品编号
- C19626737
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@8V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 初级侧开关-N沟道MOSFET
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