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STP10NK70ZFP-VB
1个N沟道 耐压:700V 电流:7A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种应用场景。TO220F；N—Channel沟道,700V；7A；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP10NK70ZFP-VB
- 商品编号
- C19626740
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 366pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 表面贴装
- 低外形通孔封装，可采用卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度达 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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