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IRF7331TRPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7331TRPBF-VB

2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,20V;7.1A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V;Vth=0.6~1.5V;
商品型号
IRF7331TRPBF-VB
商品编号
C19626729
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.106克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.1A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@2.5V,6.0A
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 可在5V栅极驱动下工作

应用领域

  • 同步整流
  • 同步降压转换器
  • 或门二极管
  • 负载开关
  • 电机驱动开关

数据手册PDF