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IRLU120NPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型功率MOSFET，采用Trench技术，适用于各种低功率功率转换和电源管理应用。TO251；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLU120NPBF-VB商品编号
C19626732商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.976667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V |
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