IRLM120ATF-NL-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLM120ATF-NL-VB商品编号
C19626731商品封装
SOT-223-3包装方式
编带
商品毛重
0.192克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 5A | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥1.53
10+¥1.49
30+¥1.47
100+¥1.45¥3625
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
48
购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个2500个/圆盘
近期成交1单
精选推荐
热搜推荐
其他推荐
- TXS0104EPWR
- KLM8G1GETF-B041
- 50YXF100MEFC8X11.5
- TPD4E05U06DQAR
- HS96L03W2C03
- AM26LS32ACDR
- TYPE-C 16PLT-H10.0
- BAT54C,215
- OPA2277UA/2K5
- 0013600020
- HX 2.54-5P DT 200mm 24AWG
- 25ZLH330MEFC8X11.5
- WJ15EDGK-3.81-5P
- GRM31M5C1H473JA01L
- H11L1S(TA)
- GMK325BJ226MM-P
- CP2102-GMR
- TAJC107K010RNJ
- TJA1021T/20/CM,118
- GP8101-F50-N-SW
- STM8S003F3P6
- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起