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SPT02-236DDB
SPT02-236DDB
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SPT02-236DDB
- 商品编号
- C1975781
- 商品封装
- UQFN-2(3.3x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 33V；36V | |
| 钳位电压 | 46V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 25A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 1.4kW@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 38V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA；5uA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
SPT02专为保护24 V接近传感器而设计。它实现了传感器电源的反极性和过压保护，以及电源开关过压保护。 它提供了一种非常紧凑且灵活的解决方案。 得益于意法半导体（ST）的高性能技术，SPT02能按照IEC 61000 - 4 - 2、IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准为接近传感器提供最高级别的保护。
商品特性
- 双二极管阵列，用于开关保护和反向阻断保护
- 供电电压范围：6 V至36 V
- 最小击穿电压VBR：38 V
- 8/20 μs、2 A时的最大钳位电压：46 V
- 阻断二极管正向压降VF：300 mA时为1.1 V
- 阻断二极管最大10 ms方波脉冲电流IFSM：3 A
- 环境温度：-40°C至+100°C
- μQFN 2L 0.8 mm扁平封装
- 电压浪涌：符合IEC 61000 - 4 - 5标准，RCC = 500Ω，±1 kV
- 静电放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准：- ±8 kV接触放电
- ±15 kV空气放电
- 电气瞬态抗扰度：符合IEC 61000 - 4 - 4标准：±2 kV
- 符合IEC 61131 - 2标准中1、2和3类逻辑输入接口要求
- 采用贴片（SMD）版本的集成电源解决方案，高度紧凑
应用领域
- 工厂自动化传感器应用
- 接近传感器接口保护
- 瞬态和浪涌电压保护
- 符合传感器标准EN 60947 - 5 - 2