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DF2B20M4SL,L3F实物图
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DF2B20M4SL,L3F

双向TVS 18.5V截止 峰值浪涌电流:0.5A@8/20us

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描述
DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压(VRWM为18.5V)的双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路,凭借高静电放电抗扰度(VESD)性能提升系统可靠性。因其低电容特性,非常适合用于近场通信(NFC)等天线应用。此外,其小封装尺寸(0.62mm×0.32mm)适用于高密度贴装。
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
DF2B20M4SL,L3F
商品编号
C1973643
商品封装
0201​
包装方式
编带
商品毛重
0.0079克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)18.5V
钳位电压26V
峰值脉冲电流(Ipp)500mA@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)15W@8/20us
击穿电压22.5V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.2pF

商品概述

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压(VRWM为18.5V)的双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路,凭借高静电放电抗扰度(VESD)性能提升系统可靠性。因其低电容特性,非常适合用于近场通信(NFC)等天线应用。此外,其小封装尺寸(0.62mm×0.32mm)适用于高密度贴装。

商品特性

  • 适用于高工作电压线路。(VRWM ≤ 18.5V)
  • 凭借高ESD性能保护器件。(在IEC61000 - 4 - 2标准下,VESD = ±15kV(接触/空气放电))
  • 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(典型RDYN = 0.2Ω)
  • 具有回滞特性,可实现低钳位电压,保护半导体器件。(典型情况下,当IPP = 0.5A时,VC = 26V)
  • 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局。(尺寸为0.62mm×0.32mm(东芝封装名称:SL2))

应用领域

  • 移动设备
  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 笔记本电脑
  • 台式电脑

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(10000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个10000个/圆盘

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