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DF2B20M4SL,L3F
双向TVS 18.5V截止 峰值浪涌电流：0.5A@8/20us
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- 描述
- DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2B20M4SL,L3F
- 商品编号
- C1973643
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0079克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 18.5V | |
| 钳位电压 | 26V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 500mA@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 15W@8/20us | |
| 击穿电压 | 22.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 0.2pF |
商品概述
DF2B20M4SL是一款具有高反向关断电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻能很好地保护后端电路，凭借高静电放电耐压（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小尺寸封装（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。
商品特性
- 适用于高工作电压线路（VRWM ≤ 18.5V）。
- 凭借高ESD性能保护器件（依据IEC 61000 - 4 - 2标准，VESD = ± 15 kV（接触/空气））。
- 低动态电阻保护半导体器件免受静电和噪声影响（典型RDYN = 0.2 Ω）。
- 具有回滞特性，实现低钳位电压，保护半导体器件（典型IPP = 0.5 A时，VC = 26 V）。
- 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局（尺寸为0.62mm×0.32mm，东芝产品页名称：SL2）。
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑