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2N7002
N沟道增强型场效应晶体管
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- 品牌名称
- Zhengxin(正芯)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C19272190
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.75pF |
商品概述
50N03D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
应用领域
-电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS