温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTP62N15P
N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET
- 描述
- 特性：国际标准封装。 无钳位电感开关 (UIS) 额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP62N15P
- 商品编号
- C19270211
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 660pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理-电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动-DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换