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IXTP120P065T
P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，采用国际标准封装，具有扩展FBSOA、快速本征二极管、低RDS(on)和Qg等特性
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP120P065T
- 商品编号
- C19270212
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 505pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.345nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展的正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 快速本征二极管
- 低RDS(ON)和 QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用
- IXTY01N100D
- IXFB210N30P3
- IXTH24N50
- IXFK140N30P
- IXTT170N10P
- LM339LVDYYR
- RS1GT08XF5
- RS4GT08XQ
- PL14927-1542-01F
- 12-22/R6GHC-A33/2C(XY)
- GT-197(XY)
- 19-223SURSYGC/S530-A3/E2/TR8
- LPS5030-105MRC
- 744373240047
- HFV6/012HL-TR
- HFV6-G/12-HT-R(616)
- HFV6-G/12-HT-R(333)
- HFV9/024-1ZS
- HFV9-G/12-H-R(224)
- EMQ 10-02-10.16-01
- EG915NEUAP-N06-SGNSA