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IXTH24N50
N沟道增强型MegaMOS场效应晶体管
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH24N50
- 商品编号
- C19270215
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
N沟道增强型功率场效应晶体管采用了SGT技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻(RDS(on))HDMOSTTM 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 低封装电感(< 5 nH)——易于驱动和保护
- 快速开关时间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 电机控制
- 不间断电源(UPS)
- 直流斩波器
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