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IXTY01N100D
耗尽型N沟道MOSFET，具有常开模式、国际标准封装、低导通电阻、坚固的多晶硅栅极单元结构和快速开关速度等特点，易于安装、节省空间、功率密度高
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTY01N100D
- 商品编号
- C19270213
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 常开模式
- 国际标准封装
- 低 R\textDS(on) HDMOSTTM 工艺
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 快速开关速度
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-电平转换-触发器-固态继电器-电流调节器