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LBSS139LT1G-TP
耐压:50V 电流:360mA
- 描述
- 特性：低导通电阻。 N沟道MOSFET。 低输入电容。 快速开关速度。 ESD保护。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- LBSS139LT1G-TP
- 商品编号
- C19268140
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@2.5V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@25V | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 5.8A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 31mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 43mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制（PWM）应用