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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

2N7002NXAKR

耐压:60V 电流:0.3A

描述
特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
品牌名称
TECH PUBLIC(台舟)
商品型号
2N7002NXAKR
商品编号
C19268174
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030683克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3nC@4.5V
输入电容(Ciss)27pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)18pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS)= 60V,漏极电流(ID)= 0.3A
  • 栅源电压(VGS)= 4.5V时,导通电阻(RDS(ON))< 2.5Ω
  • 栅源电压(VGS)= 10V时,导通电阻(RDS(ON))< 2.2Ω
  • 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2000V

应用领域

  • 直接逻辑电平接口:晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)
  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
  • 电池供电系统
  • 固态继电器

数据手册PDF

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