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2N7002NXAKR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002NXAKR

耐压:60V 电流:0.3A

描述
特性:VDS = 60V,ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级:HBM 2000V。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
商品型号
2N7002NXAKR
商品编号
C19268174
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030683克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3nC@4.5V
输入电容(Ciss)27pF@30V
反向传输电容(Crss)2pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)18pF

商品特性

  • 100V/322A
  • RDS(ON) = 1.5 mΩ(典型值),VGS = 10 V
  • 经过100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 储能-电池保护-电池供电工具

数据手册PDF