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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM30160NK3

耐压:30V 电流:150A

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私有库下单最高享92折
描述
特性:VDS = 30V。 RDS(ON) = 1.6mΩ @ VGS = 10 @ IDS = 30A。 RDS(ON) = 2.1mΩ @ VGS = 4.5 @ IDS = 25A。 简单的驱动要求。 小封装外形。 表面贴装器件
商品型号
TPM30160NK3
商品编号
C19268132
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
1.145667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.1mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)7.032nF
反向传输电容(Crss)743pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)898pF

商品概述

CJAC110N03A采用沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30V
  • 当栅源电压(VGS) = 10V、漏极电流(IDS) = 30A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 1.6 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = 4.5V、漏极电流(IDS) = 25A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 2.1 mΩ

应用领域

  • 简单驱动要求
  • 小封装尺寸
  • 表面贴装器件

数据手册PDF