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STD3055L-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；Vth=1.5~2V；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD3055L-VB
- 商品编号
- C19188253
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 无卤
- 第三代沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 100% 非钳位感性负载(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换-系统电源