CES2309-VB
1个P沟道 耐压:20V
- SMT扩展库
- PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CES2309-VB
- 商品编号
- C19188266
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V,2.0A | |
耗散功率(Pd) | 1.6W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
输入电容(Ciss) | 835pF | |
反向传输电容(Crss) | 155pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
类型 | P沟道 | |
输出电容(Coss) | 180pF |
最新价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
10+¥0.214795¥0.2527
100+¥0.210375¥0.2475
300+¥0.2074¥0.244
1000+¥0.20451¥0.2406¥721.8
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
100
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
精选推荐
客服
芯媒体
反馈
收起