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UTT25P10L-TN3-R-VB实物图
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UTT25P10L-TN3-R-VB

1个P沟道 耐压:100V 电流:16A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
UTT25P10L-TN3-R-VB
商品编号
C19188272
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.416克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V；120mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)32.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23.2nC@10V；11.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.055nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)65pF

数据手册PDF

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