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SI4168DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFE，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能开关的电路和模块。SOP8；N—Channel沟道,30V；25A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4168DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C19188259
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 610pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
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起订量：1 个4000个/圆盘
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