2SK3069-VB
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3069-VB
- 商品编号
- C19188261
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.045克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥6.82
10+¥5.55
50+¥4.62¥231
100+¥3.99¥199.5
500+¥3.61¥180.5
1000+¥3.42¥171
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38
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(50个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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