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2SK3069-VB

1个N沟道 耐压:60V

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
商品型号
2SK3069-VB
商品编号
C19188261
商品封装
TO-220
包装方式
管装
商品毛重
4.045克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
属性参数值
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-

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