NCE60R180F-VB
1个N沟道 耐压:650V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N型半导体器件,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性,适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE60R180F-VB
- 商品编号
- C19188247
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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