我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NCE60R180F-VB实物图
  • NCE60R180F-VB商品缩略图
  • NCE60R180F-VB商品缩略图
  • NCE60R180F-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60R180F-VB

1个N沟道 耐压:650V

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型半导体器件,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性,适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~5V;
商品型号
NCE60R180F-VB
商品编号
C19188247
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
属性参数值
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-

数据手册PDF