HX2005-S
集成自举电路的单相高端和低端功率MOSFET/IGBT驱动芯片
- 描述
- HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术,使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- HX2005-S
- 商品编号
- C19186047
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
商品概述
HX2005-S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺,使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。它的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。HX2005-S的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。该芯片采用SOP-8封装,可以在-40°C至125°C的温度范围内工作。HX2005-S集成有自举二极管,对高侧进行充电,简化了芯片外围电路
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压:250V
- 兼容输入逻辑:3.3V、5V和15V
- VS负偏压能力:-9V
- dVS/dt耐受能力:±50V/ns
- 栅极驱动电压范围:10V至20V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定:520ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时:ton/toff = 160ns/150ns
- 延迟匹配时间:60ns
- 集成欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值:8.9V
- 欠压锁定负向阈值:8.2V
- 宽温度范围:-40°C至125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力:290mA/600mA
- 封装类型:SOP-8
应用领域
- 微型逆变器驱动
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- MOSFET/IGBT驱动芯片
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单

