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HX2005-S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HX2005-S

集成自举电路的单相高端和低端功率MOSFET/IGBT驱动芯片

描述
HX2005 - S是一款高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道。该芯片采用高低压兼容技术,使高端和低端栅极驱动电路能够集成在单芯片中。其逻辑输入电平与低至3的CMOS或LSTTL逻辑输出电平兼容
商品型号
HX2005-S
商品编号
C19186047
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)600mA
拉电流(IOH)290mA
属性参数值
工作电压10V~20V
上升时间(tr)70ns
下降时间(tf)30ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)120uA

商品概述

HX2005-S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺,使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。它的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。HX2005-S的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。该芯片采用SOP-8封装,可以在-40°C至125°C的温度范围内工作。HX2005-S集成有自举二极管,对高侧进行充电,简化了芯片外围电路

商品特性

  • 自举工作的浮地通道
  • 最高工作电压:250V
  • 兼容输入逻辑:3.3V、5V和15V
  • VS负偏压能力:-9V
  • dVS/dt耐受能力:±50V/ns
  • 栅极驱动电压范围:10V至20V
  • 防直通死区逻辑
  • 死区时间设定:520ns
  • 芯片传输延时特性
  • 开通/关断传输延时:ton/toff = 160ns/150ns
  • 延迟匹配时间:60ns
  • 集成欠压锁定电路
  • 欠压锁定正向阈值:8.9V
  • 欠压锁定负向阈值:8.2V
  • 宽温度范围:-40°C至125°C
  • 输出级拉电流/灌电流能力:290mA/600mA
  • 封装类型:SOP-8

应用领域

  • 微型逆变器驱动
  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • MOSFET/IGBT驱动芯片

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
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