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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HX4427-P

双路 1.5A 峰值低端 MOSFET 驱动器

描述
HX4426/4427/4428系列双低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。这与双极型器件不同,双极型器件只能在电源的1V范围内摆动
商品型号
HX4427-P
商品编号
C19186059
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.8524克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)-
属性参数值
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)18ns
下降时间(tf)15ns
工作温度0℃~+70℃
静态电流(Iq)400uA

商品概述

HX4426/4427/4428系列双低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。这与双极型器件不同,双极型器件只能在电源的1V范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置:双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代HX426/427/428和HX1426/1427/1428,提供了更好的电气性能和耐用性。 HX4426/4427/4428驱动器具有很高的耐用性,能够承受高达500 mA的反向电流(任意极性)而不发生闩锁,并且接地引脚能够承受高达5V的噪声尖峰(任意极性)。这些驱动器主要用于驱动功率MOSFET,但也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载。其他潜在应用包括驱动重载时钟线、同轴电缆或压电换能器。需要注意的是,驱动器的总功耗不得超过封装的限制。对于高功率和窄脉冲应用,请参考HX4126/4127/4128。

商品特性

  • 1.5A峰值输出电流
  • 抗闩锁保护,可承受>500 mA反向电流
  • 4.5V至18V工作范围
  • 25 ns内开关1000 pF负载
  • 低静态电源电流
    • 逻辑1输入时为4 mA
    • 逻辑0输入时为400 μA
  • 匹配的上升和下降时间
  • 7Ω输出阻抗
  • 典型延迟<40 ns
  • 逻辑输入保护至–5V
  • 逻辑输入阈值与电源电压无关
  • 典型等效输入电容为6 pF
  • 相对于电源或地的最大输出偏移为25 mV

应用领域

  • MOSFET驱动器
  • 压电换能器驱动器
  • 同轴电缆驱动器
  • 时钟线驱动器

数据手册PDF

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